Transistor Technology Innovation: Neue Technologie kann die Kühlkapazität um mehr als zweimal erhöhen!
Mit der zunehmenden Miniaturisierung von Halbleitergeräten haben sich Probleme wie erhöhte Leistungsdichte und Wärmeerzeugung entstanden, die die Leistung, Zuverlässigkeit und Lebensdauer dieser Geräte beeinflussen können. Galliumnitrid (GaN) auf Diamant zeigt vielversprechende Aussichten als Halbleitermaterial der nächsten Generation, da beide Materialien breite Bandgaps aufweisen, die eine hohe Leitfähigkeit und eine hohe thermische Leitfähigkeit von Diamant ermöglichen und sie als hervorragende Wärmeableitungssubstrate positionieren.
Berichten zufolge hat ein Forschungsteam an der Osaka Metropolitan University Diamond, das thermisch leitfähigste natürliche Material auf der Erde, als Substrat zur Herstellung von GALIUM -Nitrid -Transistoren (GAN) verwendet, die mehr als doppelt so hoch wie die Wärmeableitungskapazität traditioneller Transistoren haben. In den neuesten Forschungen haben Wissenschaftler der Osaka Public University Gan High Electron Mobility Transistors mit Diamond als Substrat erfolgreich hergestellt. Die Leistung der Wärmedissipation dieser neuen Technologie beträgt mehr als doppelt so hoch wie bei ähnlich geformten Transistoren, die auf Siliciumcarbid -Substraten (SIC) hergestellt werden. Reduziert den thermischen Widerstand der Grenzfläche erheblich und verbessert die Leistung der Wärmeableitung.
